Sa mga araw na ito, naghahanda ang Samsung na simulan ang paggawa ng napakabilis na UFS 2.0 NAND Flash memory na pinaplano nitong gamitin sa hinaharap nitong flagship, ang Samsung Galaxy S6. Hanggang ngayon, ginamit ang eMMC NAND Flash memory technology, na nagawang makamit ang bilis ng paglipat na 400 MB/s. Gayunpaman, salamat sa bagong pangalawang henerasyong teknolohiya ng UFS, ang memorya ay nasa mga telepono Galaxy S6 na may kakayahang umabot sa bilis ng paglipat na hanggang 1.2 GB/s, ibig sabihin, isang bilis na tatlong beses na mas mataas.
Siyempre, makikita ito sa paglilipat ng malalaking file, tulad ng paglilipat ng mga 4K na video gamit ang koneksyon ng LTE-A. Bilang karagdagan, kumpara sa eMMC 5.0, nag-aalok ang teknolohiya ng hanggang 50% na mas mababang pagkonsumo, na may positibong epekto sa buhay ng baterya ng bagong telepono. Plano din ng Samsung na gamitin ang teknolohiya sa mga SD at microSD card nito, at tila nagsusumikap na ito. Ang pangunahing karibal ng Samsung na Tsino, ang Xiaomi, ay nagpaplano din na gumamit ng UFS Flash memory, at tila ang Toshima, Hynix at Micron ay magpapakita rin ng interes dito. Bilang karagdagan, salamat sa teknolohiya ng UFS, mapipilitan ang Samsung na gamitin ang microUSB 3.0 port kung nais nitong gamitin ang bilis ng paglipat kapag naglilipat ng mga file mula sa isang computer patungo sa isang mobile phone at vice versa.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Pinagmulan: ETNews
