Inihayag ng Samsung ang mga plano nito sa negosyong semiconductor sa isang kumperensya sa Estados Unidos. Nagpakita siya ng roadmap na nagpapakita ng unti-unting paglipat sa 7nm LPP (Low Power Plus), 5nm LPE (Low Power Early), 4nm LPE/LPP at 3nm Gate-All-Around Early/Plus na teknolohiya.
Sisimulan ng South Korean giant ang produksyon ng 7nm LPP technology, na gagamit ng EUV lithography, sa ikalawang kalahati ng susunod na taon, habang kasabay nito ay gustong simulan ng karibal na TSMC ang produksyon gamit ang pinabuting 7nm+ na proseso at simulan ang peligrosong produksyon na may 5nm na proseso. .
Magsisimula ang Samsung sa paggawa ng mga chipset gamit ang 5nm LPE na proseso sa katapusan ng 2019 at ang 4nm LPE/LPP na proseso sa panahon ng 2020. Ito ang 4nm na teknolohiya na magiging huling teknolohiya na gagamit ng FinFET transistors. Parehong ang 5nm at ang 4nm na proseso ay inaasahan na bawasan ang laki ng chipset, ngunit sa parehong oras ay tumataas ang pagganap at mabawasan ang pagkonsumo.
Simula sa 3nm na teknolohiya, lilipat ang kumpanya sa sarili nitong MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around) architecture. Kung ang lahat ay naaayon sa plano, ang mga chipset ay dapat gawin sa 3 gamit ang 2022nm na proseso.
